纳米银插层膨润土抗菌剂的性能研究

以膨润土片层结构做模板,将银氨溶液与改性膨润土进行离子交换反应,通过光还原法制备得到了纳米银插层膨润土抗菌剂。通过高分辨透射电镜、能谱分析测试表征纳米银插层膨润土抗菌剂的结构与成分,并测试抗菌性能和白度变化。结果表明:纳米银插层膨润土抗菌剂的膨润土片层中夹插有球形纳米银,纳米银颗粒的主要粒径为2-8 nm,其中小部分粒径为8-17 nm,这种独特的模板结构确保纳米银抗菌剂结构稳定和性能稳定。纳米银插层膨润土抗菌剂中纳米银含银量为1.04wt%,有优异的抗菌性能,对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的最小抑菌浓度(MIC)分别为50μg/mL。纳米银插层膨润土抗菌剂具有颜色稳定性和持久抗菌性。     

超疏水表面在金属防护中应用的研究进展

超疏水表面由于具有独特的微纳米粗糙结构和低表面能性质,能形成空气垫物理屏障层,减小材料表面与水或其他腐蚀介质之间的接触面积,因此被广泛应用于金属的腐蚀防护。首先简单介绍了超疏水表面的相关理论,主要包括Young氏方程、Wenzel模型和Cassie-Baxter模型。然后,归纳总结了三种制备超疏水表面的有效途径:在低表面能物质上构建微纳米级粗糙结构;先构建出具有微纳米级的粗糙结构,再对表面进行低表面能修饰;一步法完成低表面能修饰和微纳米级粗糙结构的构建。在此基础上,详细地综述了常见的超疏水表面(薄膜或涂层)在金属防护中的应用。进一步介绍了通过在超疏水体系中引入缓蚀剂的方式,构建具有主动防护功能的超疏水表面,并介绍了此种超疏水表面在金属防护中的应用。最后指出了目前的超疏水表面在制备工艺以及耐久性等方面存在的问题,并对其在金属防护领域的应用前景和发展方向作出了展望。     

吴庄铁矿盘区间柱回采优化研究

基于吴庄铁矿盘间柱宽度不确定性、两侧均为充填体且高度大的现状，为安全高效回采盘区间柱，制定了盘区间柱两侧采场充填体取芯设计方案，并对充填体进行制样，进行了实验室试块抗压强度试验。试验结果表明：一步骤采场（矿柱）充填体强度整体符合设计强度要求，二步采场充填体强度整体偏低，盘区间柱宽度较设计变化较大，宽度极其不规整，整体呈上窄下宽的规律。鉴于盘区间柱宽度不规则、二步骤采场充填体强度低于预期、采场高度大和盘区间柱回采时不能大面积暴露的特点，采用留设一定厚度间柱和采用较小采场长度的措施进行回采方案制定，制定了小采场分段空场嗣后充填法回采方案。该方案的制定和实施，对于其他类似地下矿山三步骤间柱回采工程具有借鉴意义。     

安沟水坠坝新型固结排水措施效果分析

通过介绍安沟水库水坠坝新型固结排水措施试验研究和水库运行现状,总结并提出土工织物(土工布)在水坠坝中的应用途径.     

Servlet技术在提高Web应用客户响应速度中的实现

以J2EE平台下运用Servlet技术提高Web应用客户响应速度为事例，论述了Servlet的技术优势，介绍了主要的Servlet方法，给出了Web应用中如何规划构架EJB-Servlet-JSP组合模型的技术思路和Servlet技术在Web应用中的具体实现。     

含氮金刚石结构中Jahn-Teller畸变效应的计算

研究了由J.Bourgoin和M.Lannoo提出的半导体内Jahn-Teller畸变效应的计算理论。应用Bourgoin和Lannoo的方法研究了含中心氮杂质金刚石结构的Jahn-Teller畸变问题,计算了34C+N簇团的T2模耦合沿%111&晶向的Jahn-Teller畸变效应,结果与实验相符。     

Thermo-Sensitive Ba0.64Sr0.36TiO3 Thin Film Capacitors for Dielectric Type Uncooled Infrared Sensors

Ba_0.64Sr_0.36TiO₃ (BST) thin films are prepared on Pt/Ti/SiO₂/Si₃N₄/SiO₂/Si substrates by a sol-gel method. Thermo-sensitive BST thin film capacitors with a Metal-Ferroelectrics-Metal (M-F(BST)-M) structure are fabricated as the active elements of dielectric type uncooled infrared sensors. XRD are employed to analyze the crystallographic structures of the films. AFM observations reveal a smooth and dense surface of the films with an average grain size of about 35 nm. Rapid temperature annealing (RTA) process is a very efficient way to improve crystallization quality. The preferable annealing temperature is 800°C for 1 min. The butterfly shaped C-V curves of the capacitors indicate the films have a ferroelectric nature. The dielectric constant and dielectric loss of the films at 100 kHz are 450 and 0.038, respectively. At 25°C, where the thermo-sensitive capacitors work, the temperature coefficient of dielectric constant (TCD) is about 5.9 %/°C. These results indicate that the capacitors with sol-gel derived BST thin films are promising to develop dielectric type uncooled infrared sensors.